在何雨柱的絮叨下，时间到了午夜。
把500响鞭炮放了，扛起何雨柱送回了后院。
年后，去给许教授拜完年，这个年算是过完。
接下来的日子，他也懒得溜达，大部分时间待在家里。
这个阶段，他为了缩小S的体积，使用了各种方法。最后不得不考虑采用cVd技术。
就是所谓的气相沉积技术，目前可实现的主要方法就是使用热反应炉。
这些在技能书里也有应用。
但只是提了几句，里面重点讲解低压、激光、微波cVd技术。
这些技术的底层技术还没有发展起来，不具备可实现性。
倒是低压cVd技术未来几年可以考虑。
这在制备高质量、低缺陷的薄膜制备技术上运用较多。
目前普通的热反应炉也够用了，为了提高纯度，可以考虑氢气炉。
想到这些，他不得不低下头，设计这些基础设备。
这就像是技术套娃，从最低级的技术开始，慢慢往上叠，直到做到极致。
直到开学，李元一直在修改他的氢气反应炉。
新学期开始，李元先去找到许教授，在他的安排下，找到了班主任老师岑松岭老师。
他插班到导6班，全班加上他42人。
李元的到来，引起的全班同学的欢迎。
这可是整个学校典型学生代表。
不说他艺术家的名头，就他那非人的学习能力，就让同学们嫉妒不起来。
所以，作为插班生，李元没有遇到什么融入的困境。
大家都愿意帮助他，尤其是班长任民同学，把前三个学期的书本和笔记都借给了他。
有了这些资料，李元边学习新学期的课程，边自学之前的课程。
只用三个月，这些全都学习完成。
同时，他每天都会抽出时间到半导体实验室学习。
带着光环和许教授的亲自指点，他很快便融入了实验室。
实验室名义领头人是许教授，实质上，主抓管理的是他的学生龚黎明。
龚师兄35岁，精力充沛，1英寸单晶硅就是他负责拉制的。
现在主要有两个方向，一个是晶圆制备，另一个就是制备晶体管。
说实话，他们现在的方法是粗放式的，在一片晶圆上，直接进行金属物沉积。
就是在硅片两侧对中地烧制上两个含金球，形成两个pN结，组成的晶体管。
也就是现在大家熟知的三极管。
李元选择加入了单晶硅的制备组，组长是一位女中豪杰，28岁的黄燕。
单晶硅组总共有5人，现在变成了6人。
除了组长，都是大老爷们，非常符合工科院系的特点。
里面最高科技的东西就是定制的单晶炉，为直拉式单晶炉，是当前世界上主流的制备设备。
唯一可惜的就是干锅面积太小，晶液也少，提拉手柄全靠操作员的手感。
稍不注意，就可能会拉断。
而且采用的不是旋转拉法，而是最为原始的直接上提法。
所以晶圆柱直径一直无法取得突破，整体粗细不均。
晶圆的直径大小，直接影响着半导体生产的成本、产能和良品率。
越是靠近晶圆的边缘，良品率越差，这是大家的共识。
但他现在只是一个插班生，虽然技能里有相应的提升工艺。
但是他现在还没有资格提出改进意见。
他现在主要的工作就是疯狂的学习。
要从理论上让实验室的
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